[发明专利]基板清洗装置和基板清洗方法在审
| 申请号： | 202011294951.6 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112838027A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 酒井俊充;羽田敬子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板清洗装置和基板清洗方法，在使用处理气体进行基板的处理后适当地将残留于基板的气体成分去除。基板的清洗装置具有：气化部，其构成为输出水蒸气；第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，所述清洗腔室构成为在大气压下使至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气中。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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