[发明专利]一种LED外延多量子阱层生长方法有效
| 申请号： | 202011295803.6 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420884B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 徐平;胡耀武;唐海马 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;C23C16/34;C23C16/453;C23C16/52 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种LED外延多量子阱层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行掺Mg预处理、生长InGaN阱层、生长In渐变In |
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| 搜索关键词： | 一种 led 外延 多量 子阱层 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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