[发明专利]具有过渡金属硫化物薄膜的结构的制备方法及结构有效
| 申请号： | 202011296337.3 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112522783B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 倪健;黄万通;薛聪 | 申请（专利权）人： | 埃特曼（深圳）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/46;C30B25/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李睿 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有过渡金属硫化物薄膜的结构的制备方法及结构，制备方法包括：提供衬底；于所述衬底的表面形成石墨烯层；于所述石墨烯层的表面形成过渡金属硫化物薄膜。在提供的衬底上依次形成石墨烯层和过渡金属硫化物薄膜，石墨烯层与过渡金属硫化物薄膜之间为范德瓦尔斯力，解决了薄膜与衬底之间存在的晶格失配问题，保证过渡金属硫化物薄膜最本征的性质，从而获得高质量的过渡金属硫化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 过渡 金属 硫化物 薄膜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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