[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 202011296423.4 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112838028A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 井原亨;五师源太郎;山下刚秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力维持在使处理流体维持超临界状态的压力，一边向处理容器供给处理流体，并从处理容器排出处理流体的工序。前者包括：使处理容器内的压力上升到比临界压力高、比处理压力低的第1压力的工序；使处理容器内的压力从第1压力上升到处理压力的工序。在使处理容器内的压力升压到第1压力的工序中将基板的温度控制为第1温度，在升压到处理压力的工序中将基板的温度控制为比第1温度高的第2温度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
