[发明专利]减小电镦端面下沉深度以改善混晶的增材调控方法有效
| 申请号： | 202011297263.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112828217B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 佟莹 | 申请（专利权）人： | 重庆电子工程职业学院 |
| 主分类号： | B21J1/06 | 分类号： | B21J1/06;B21J5/08 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 康奇刚 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属材料塑性成型技术领域，具体公开了减小电镦端面下沉深度以改善混晶的增材调控方法，在坯料与砧子电极接触一端的端部外圈上形成增材，并对该端部进行倒圆角，后进行电镦成型加工处理，其中所用增材材料的电阻率小于坯料材料，且增材材料的变形难度要大于坯料材料。采用本专利的调控方法实现了坯料前端材料变形均匀的目标，同时有效地减少坯料端部下沉深度，细化了坯料前端的晶粒，并使得晶粒趋于均匀化，在提升工件坯料的质量以及使用性能的同时，还具备成型加工的经济性，无需去除过多的坯料。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 端面 下沉 深度 改善 调控 方法 | ||
【主权项】：
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