[发明专利]中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件有效

专利信息
申请号: 202011298766.4 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112421375B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 房丹;牛守柱;方铉;杜鹏;刘晓磊;赵鸿滨;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01S5/028 分类号: H01S5/028;H01S5/06;H01S5/10
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 陈露
地址: 130000 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件,涉及半导体器件技术领域,包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层;过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y,其中,0x1,0y1。本发明微腔激光器外延结构由于采用四元合金缓冲层InxGa1‑xAsySb1‑y,能够更加灵活的匹配衬底晶格常数和激光器有源区结构,从而降低因为晶格失配所产生的缺陷,使得缺陷被限制在Si和缓冲层界面,不向上继续延伸而降低有源区材料质量,更好地对器件内部光场进行调控。
搜索关键词: 红外 波段 激光器 外延 结构 及其 制备 方法 应用 检测 器件
【主权项】:
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