[发明专利]电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置有效
| 申请号： | 202011299442.2 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112825005B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 村上洋树 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 薛平;周晓飞 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置，该电压产生电路能够追求省空间化、构成简易、并且产生高信赖性的电压。本发明的电压产生电路包含基准电压产生部、PTAT电压产生部、比较部以及选择部。基准电压产生部产生几乎没有温度依存性的基准电压。PTAT电压产生部产生具有正或负的温度依存性的温度依存电压，且温度依存电压在目标温度时具有与基准电压相等的电压。比较部比较基准电压以及温度依存电压。选择部基于比较部的比较结果，选择基准电压及温度依存电压的其中一个，并输出所选择的基准电压或温度依存电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 产生 电路 以及 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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