[发明专利]一种ICP等离子体刻蚀机在审
| 申请号： | 202011300038.2 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112420475A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 何俊民 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 王军 |
| 地址： | 232000 安徽省淮南*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，且公开了一种ICP等离子体刻蚀机，包括机体，所述机体的上表面固定安装有连通管，所述连通管的两侧固定安装有进气口，所述机体、连通管、进气口相连通，所述机体的顶端固定安装有铁芯，所述铁芯的外部固定套接有导线，所述机体内部的上部固定套接有屏蔽管，所述屏蔽管的外部固定套接有耦合线圈。该ICP等离子体刻蚀机，通过在增加耦合线圈电流以提高等离子密度时，由于导线此时电流随着耦合线圈同时增加，使得铁芯磁力增加，此时由于基片底座从受力平衡到受到向上的吸引力，使得基片底座向上运动，使得在增加等离子密度的同时缩短等离子运动的距离，继而将等离子之间碰撞的几率降低，使得刻蚀效果增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 icp 等离子体 刻蚀 | ||
【主权项】：
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