[发明专利]电子级多晶硅生产系统和方法有效

专利信息
申请号: 202011301481.1 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112390257B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 吴锋;孙江桥;王德芸;张天雨 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035;C01B33/107
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 周慧云
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了电子级多晶硅生产系统和方法。其中,电子级多晶硅生产系统包括:预处理装置,其包括多个串联的吸附柱,所述吸附柱中设有吸附载体和吸附负载组分,所述吸附负载组分包括四氯化铂、氯化亚铜中的至少之一;精馏装置;沉积装置;第一尾气分离装置;二氯二氢硅储罐,其与所述第一尾气分离装置相连,且适于储存所述第一尾气分离装置分离得到的二氯二氢硅,并将所述第一尾气分离装置分离得到的二氯二氢硅供给至所述沉积装置用于所述化学气相沉积处理。该系统可以显著降低电子级多晶产品中的硼、磷、碳、金属等杂质含量,生产得到的高品质的电子级多晶产品,并降低生产能耗。
搜索关键词: 电子 多晶 生产 系统 方法
【主权项】:
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