[发明专利]具有分离栅增强结构的低栅电阻功率MOSFET器件及方法在审
| 申请号： | 202011301931.7 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112420844A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 乔明;马涛;董仕达;王正康;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有分离栅增强结构的低栅电阻功率MOSFET器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、槽结构，槽结构中包含控制栅电极与分离栅电极，控制栅电极包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，第三栅电极位于第一栅电极和第二栅电极的上方，且与第一栅电极和第二栅电极邻接，第一导电类型外延层上方为第二导电类型阱区，第二导电类型阱区内部上方为第二导电类型重掺杂区，第二导电类型阱区上方为第一导电类型重掺杂源区；本发明所述器件结构既具有低栅电容特性，又具有低栅电阻特性，实现了高开关速度与低开关损耗的目标，得到了低栅电阻的分离栅增强结构的金属氧化物半导体场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 增强 结构 电阻 功率 mosfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
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