[发明专利]一种高电子透过率的石墨烯海绵栅极结构的制作方法有效
申请号: | 202011302224.X | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112420468B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 李孟杰;张晓兵;尹现升;钱晓晶 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01J19/38 | 分类号: | H01J19/38;H01J19/02 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于场发射电子源的高电子透过率的石墨烯栅极结构的制备方法,该复合栅极结构是由导电薄膜(1)、石墨烯海绵(2)和金属电极(3)构成。其制备步骤为:首先利用热化学气相沉积法将石墨烯直接生长在金属海绵网表面,然后将金属网腐蚀去除,并将其固定在金属膜片的圆孔之上;随后将石墨烯薄膜转移到石墨烯海绵上表面;最后,将该复合结构放置于真空系统中进行高温退火。本发明充分利用了石墨烯材料的低电子散射效应和高传导的特性,石墨烯海绵与石墨烯同种物质的原子间范德华力,增强栅网结构之间的附着力,降低电阻率,从而提高栅极的电子透过率和稳定性。本发明在场发射电子源领域和高分辨率的电子显微领域有着重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子 透过 石墨 海绵 栅极 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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