[发明专利]垂直pHEMT晶体管结构及开关芯片有效
| 申请号： | 202011306598.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420826B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 黄永锋;殷玉喆;何力;刘伟 | 申请（专利权）人： | 成都挚信电子技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 封浪 |
| 地址： | 611730 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直pHEMT晶体管结构及开关芯片。晶体管包括：围绕金属化通孔四周，由内层向外层依次排布缓冲层、沟道层、第一隔离层和势垒层，所述金属化通孔、缓冲层、沟道层、第一隔离层和势垒层均为柱状结构，金属化通孔轴向同衬底法线方向，于所述势垒层侧壁分别设置源极、栅极、漏极，源极、栅极、漏极呈水平或垂直排布，在垂直排布时，栅极包围柱状侧壁一周。开关芯片由若干垂直pHEMT晶体管垂直方向串联或并联而成。本发明的晶体管及开关芯片具备高隔离度、功率容量大、体积小、集成性好、低功耗、高效率、宽带特性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 phemt 晶体管 结构 开关 芯片 | ||
【主权项】：
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