[发明专利]一种高电导率铜基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011307029.6 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112458518B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 鲍瑞;刘鹏;易健宏 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C25D13/16 分类号: C25D13/16;H01B1/02;C21D9/46;C22F1/08;C25D13/02
代理公司: 昆明人从众知识产权代理有限公司 53204 代理人: 李晓亚
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种高电导率铜基复合材料的制备方法,以铜箔为基体,运用电泳沉积的方法,将碳量子点沉积到铜箔基体上,并根据电泳沉积参数的不同选择性地采用气氛炉还原处理或真空退火处理,最终得到一种高电导率的碳量子点‑铜基复合材料;本发明方法制备的复合铜基复合材料,碳量子点分布均匀,碳层致密,且与铜基复合材料基体结合牢固,相对于单一铜基体的电导率和耐氧化性得到了较大的提升,可广泛应用于集成电路、锂电池负极、电磁屏蔽和热管理等领域。
搜索关键词: 一种 电导率 复合材料 制备 方法
【主权项】:
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