[发明专利]超薄晶圆的背面刻蚀液及刻蚀方法有效
| 申请号： | 202011309979.2 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112410888B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 葛林四;葛永恒;吴士勇;韩鹏帅;葛威威 | 申请（专利权）人： | 上海提牛机电设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 201405*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的背面刻蚀液及刻蚀方法。其中方法包括将晶圆经上料区上料；将晶圆从上料区置于第一刻蚀槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面进行刻蚀；将晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；将晶圆置于第二刻蚀槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面再次进行刻蚀；将晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；将晶圆置于氢氟酸槽，晶圆浸入氢氟酸液中去除表面的自然氧化膜；将晶圆置于第三溢流槽内进行第三次清洗；将晶圆经下料区下料，完成晶圆的刻蚀。采用本发明刻蚀液及方法得到的晶圆，表面平坦度好，一致性好，质量较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 背面 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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