[发明专利]一种基于STT-MRAM的多通道高速数据访存结构有效

专利信息
申请号: 202011310989.8 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112463668B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 刘冬生;陆家昊;刘子龙;成轩;魏来;卢楷文;马贤;刘波 申请(专利权)人: 华中科技大学;浙江驰拓科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F5/06
代理公司: 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 代理人: 徐员兰
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于STT‑MRAM的多通道高速数据访存结构,其特征在于,包括STT‑MRAM、高速总线、总线互联模块、多通道异步FIFO模块、通道仲裁器以及控制器;所述总线互联模块作为主机连接所述高速总线与所述多通道异步FIFO模块,通过调用所述高速总线来实现对所述STT‑MRAM的访问,完成所述多通道异步FIFO模块与STT‑MRAM之间的数据搬移;所述多通道异步FIFO模块用于缓存需要搬移的数据;所述通道仲裁器根据来自所述控制器的通道号,确定读写顺序和控制通道的转换;所述控制器用于产生访问所述STT‑MRAM的地址,同时接收来自连接着不同通道的设备的读写请求,并产生相应的通道号码输入给所述通道仲裁器。
搜索关键词: 一种 基于 stt mram 通道 高速 数据 结构
【主权项】:
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