[发明专利]一种分子束外延源料原位预处理方法有效
| 申请号： | 202011311933.4 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112410732B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏;龚欣;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 | 申请（专利权）人： | 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C30B23/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 徐好 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发区岳麓*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分子束外延源料原位预处理方法，包括步骤：S1、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚，将源料装入坩埚并盖上坩埚盖，将坩埚放回至坩埚托架上，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空度后，打开闸阀，坩埚移动至工艺位置；S2、加热器对坩埚下部进行加热；S3、加热器对坩埚上部进行加热；S4、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚盖，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空度后，打开闸阀，坩埚移动至工艺位置。本发明具有操作简便、效率高，预处理后的料锭质地紧密，与坩埚形状相同，可显著提高蒸发束流的稳定性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 外延 原位 预处理 方法 | ||
【主权项】：
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