[发明专利]一种硅基OLED器件的结构在审
| 申请号： | 202011312960.3 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112466917A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 许嵩 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人： | 杨昊 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市长江大桥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基OLED器件的结构，所述硅基OLED器件的结构包括：配置有EML‑R发光层、EML‑G发光层以及EML‑B‑1发光层的基层、靠近阴极的一侧或阳极的一侧的EML‑B‑2发光层以及根据所述EML‑B‑2发光层的位置确定自身位置的ITL材料层；其中：在所述EML‑B‑2发光层位于靠近阴极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML‑B‑2发光层与所述EML‑R发光层之间；在所述EML‑B‑2发光层位于靠近阳极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML‑B‑2发光层与所述EML‑G发光层之间。本发明可以在不增加电压和B像素开口率的情况下提升WOLED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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