[发明专利]抵抗静电冲击的半导体激光器芯片及工艺有效
| 申请号： | 202011313728.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112134139B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 魏思航;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/343;H01S5/22;H01S5/00;H01S5/024 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抵抗静电冲击的半导体激光器芯片，该半导体激光器芯片的电极台面区域上设有呈阵列排布的圆锥台结构，所述圆锥台结构的内部为N型反向层，圆锥台四周外壁依次包覆绝缘介电质层和P面电极层，圆锥台顶部的N型反向层外部依次覆盖上高掺杂P型接触层、环形P面电极层；圆锥台结构下方的电极台面区域自上而下依次包括下高掺杂P型接触层、P型上包层、量子阱有源区。本发明在大量电荷注入时，静电荷可以有多个通道进行泄露，提升了芯片本身抵抗ESD的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 抵抗 静电 冲击 半导体激光器 芯片 工艺 | ||
【主权项】：
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