[发明专利]一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体，其为：在含铟的金属氧化物MO‑In2O3半导体中，分别掺入至少两种的稀土元素R的氧化物和稀土元素R’的氧化物，形成InxMyRnR’mOz半导体材料。本发明通过在含铟的金属氧化物中引入稀土元素R和R’的氧化物，分别作为载流子控制，以及光稳定性增强的作用，通过利用稀土元素R的氧化物中极高的氧断键能，进而有效控制半导体内的载流子浓度，同时，利用稀土离子半径和氧化铟中的铟离子半径相当的特性，且稀土元素R’离子中4f轨道结构和铟离子的5s轨道能形成高效的电荷转换中心，以提高其电学稳定性，特别是光照下的稳定性。本发明还提供基于该金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。