[发明专利]基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法在审

专利信息
申请号: 202011314832.2 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112466770A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 郑雪峰;马晓华;龚星星;张豪;王冲;曹艳荣;马佩军;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L29/778
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法,主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格一致的欧姆接触电极,然后对被测异质结器件施加热电子应力,依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压,最后将相邻电极的电压差值除以其导通电流,即得到异质结器件沟道区不同位置处的沟道电阻,进而得到沟道区不同位置处的热电子数量。本发明测试方法快速简便,结果准确可靠,能够为后续提高器件可靠性提供重要依据。
搜索关键词: 基于 异质结 器件 电子效应 测试 结构 表征 方法
【主权项】:
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