[发明专利]用于调节等离子体切割速率的方法和系统在审
| 申请号： | 202011316845.3 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113013155A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯;厄内斯特·艾珀;约翰尼斯·科布森;尚塔尔·克劳德·迪克斯特拉 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/528;H01L21/78;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 庄锦军 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在容易发生过度蚀刻的区域中提供例如金属锯架的抗蚀刻结构来在所述区域中调节等离子体蚀刻的速度。通过调整尺寸，例如锯架腿的长度和宽度和由所述锯架腿限定的面积，以及通过例如倒角的技术调整蚀刻区域的形状，可控制所述区域中的等离子体蚀刻速度，以便与非过度蚀刻区域中的蚀刻速度匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调节 等离子体 切割 速率 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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