[发明专利]混合存储级内存及其磨损均衡方法在审
| 申请号： | 202011316901.3 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112363957A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;陈岚;郝晓冉;倪茂;刘晨吉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种混合存储级内存，包括：相变存储器，其一部分作为持久化存储，形成持久化内存文件系统单元；以及动态随机存储器，其和所述相变存储器的另一部分共同作为混合内存管理单元；其中，所述相变存储器和动态随机存储器统一编址，通过内存接口连接到总线。本公开同时还提供一种混合存储级内存磨损均衡方法，包括：创建位示图来表示现有文件块的配置情况；每隔一间隔在所述文件块中选取一部分作为关键块；根据关键块的访问热度对写入文件进行分配，使得混合存储级内存磨损均衡。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 存储 内存 及其 磨损 均衡 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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