[发明专利]一种磁约束三维等离子体射流阵列方法及系统在审
| 申请号： | 202011320499.6 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112804806A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王长全;李光辉 | 申请（专利权）人： | 北京劳动保障职业学院;江苏华齐电气有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/30 | 分类号： | H05H1/30;H05H1/16 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 郑乘澄 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于等离子体技术领域，公开了一种磁约束三维等离子体射流阵列方法及系统，由高压供电单元产生放电高压到射流阵列的高低压电极间；高压供气单元输送放电反应气体至沿气流轴向可调节多个一维射流阵列或二维射流阵列位置产生的三维等离子体射流阵列单元中的三维放电室；磁约束单元对放电区域产生的等离子体进行约束；通过测量单元测量电参数、光学参数和表面性能的变化来实时调整三维射流阵列结构中的单个射流单元或多个一维射流阵列或多个二维射流阵列的放电等离子体的长度位置，从而构成可调节的三维射流阵列结构。本发明提供的装置灵活性和适应性大大增加，可用于改善人造器官的生物兼容性或有机材料表面的润湿性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 约束 三维 等离子体 射流 阵列 方法 系统 | ||
【主权项】：
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