[发明专利]一种常闭型硅衬底高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011320896.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420829A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;吕全江 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常闭型硅 衬底 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学，未经江苏大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011320896.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种核级纯四氟化铀制备方法
- 下一篇：一种便于清理的加热型混凝土搅拌装置
- 同类专利
- 专利分类
