[发明专利]一种GaAs衬底的退火处理方法在审
| 申请号： | 202011321515.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420511A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;黄鑫;魏宇 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs衬底的退火处理方法，属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：将次级GaAs衬底片放入管式炉，并向管式炉中通入氮气或惰性气体，于温度380～450℃，保温3～5h，冷却至室温，即得退火处理后的GaAs衬底。本发明提供的方法改善了GaAs衬底的缺陷及提高器件的应用性能，消除部分残余应力，使位错密度下降，迁移率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 衬底 退火 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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