[发明专利]复合衬底的制备方法、复合薄膜及电子元器件有效
| 申请号： | 202011321912.0 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420915B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 杨超;李真宇;张秀全;李洋洋 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种复合衬底的制备方法、复合薄膜及电子元器件，所述复合衬底的制备方法包括：首先，在支撑衬底上制备缺陷层前体；然后，将所述缺陷层前体在第一温度下退火；将退火后的缺陷层前体在第二温度下进行氧化，形成缺陷层和绝缘层；其中，靠近支撑衬底的为缺陷层，得到复合衬底。采用前述的方案，首先在第一温度下退火，使缺陷层前体中的晶粒充分重构，然后将缺陷层前体在第二温度下进行氧化的工艺制备绝缘层，以保证在长时间高温氧化时缺陷层前体不再发生晶粒重构，进而降低缺陷层与绝缘层界面粗糙度并提高绝缘层氧化均匀性，进而减少复合衬底使用时的介电损耗。不会影响到复合衬底在后续使用中的光刻工艺和最终制成的器件的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 制备 方法 薄膜 电子元器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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