[发明专利]二硫化铼或二硒化铼晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202011321973.7 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112593291A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 赵益彬;万逸;阚二军;刘明岩;曾华凌 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化铼或二硒化铼晶体的制备方法。所述方法先将铼粉、硫粉或硒粉及碘传输剂超声混合均匀，并以丙烷或氢氧焰密封端口，然后置于双温区管式炉中预热，源区温度升高后进行正式反应，待生长完成后，先缓慢降温再自然降温，制得二硫化铼或二硒化铼晶体。本发明利用化学气相输运法，采用封闭系统，反应条件可控，合成稳定且重复性高，能够为机械剥离提供高质量的层状材料块状晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 二硒化铼 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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