[发明专利]一种净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202011322374.7 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112409005B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨良伟;霍鹏飞;刘俊鹏;宋环君;李晓东;刘伟;于新民 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。所述制备方法包括：(1)提供碳/碳基体；(2)对所述碳/碳基体进行超声干燥洁净处理，并将ZrC‑ZrB |
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| 搜索关键词： | 一种 尺寸 sic 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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