[发明专利]石墨烯负载高导电硫化钼纳米花材料的制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 202011322907.1 申请日: 2020-11-23
公开(公告)号: CN112421045B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 程志斌;陈毅龙;潘慧;杨义锶;项生昌;张章静 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H01M4/62 分类号: H01M4/62;H01M4/58;H01M50/403;H01M50/446;H01M4/136;H01M4/1397;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 代理人: 袁亚军
地址: 350108 福建省福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种在石墨烯上均匀负载硫化钼纳米花的高导电复合材料(FM@G)的制备方法及其用于锂硫电池的系统改性。将定量的氧化石墨烯分散在DMF溶液中,随后将一定量的四硫代钼酸铵和尿素加入到上述分散液中,超声后加入水合肼溶液,将所得混合溶液搅拌超声均匀,进而通过溶剂热反应制备得到FM@G复合材料。定量的FM@G与硫单质通过热熔融扩散法制备得到FM@G/S正极材料;同时将FM@G乙醇分散液通过真空抽滤到PP隔膜后得到FM@G‑PP改性隔膜。所得材料运用于锂硫电池的正极与隔膜上具有高效的协同作用,增强对多硫化物的吸附/催化能力,使电池具有优异的循环性能和高的能量密度。
搜索关键词: 石墨 负载 导电 硫化 纳米 材料 制备 方法 用途
【主权项】:
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