[发明专利]一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO2

摘要

本发明公开了一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO2)基铁电薄膜铁电性能的方法，具体方法步骤包括：预先对衬底进行等离子体清洗；配制HfO2基铁电薄膜的前驱体溶液；在所述衬底上沉积HfO2基铁电薄膜；对所述HfO2基铁电薄膜进行退火处理；对所述HfO2基铁电薄膜进行等离子体处理；在所述HfO2基铁电薄膜上沉积顶电极。本发明通过等离子技术改善衬底与HfO2基铁电薄膜界面的质量、降低HfO2基铁电薄膜中的氧空位浓度，从而显著提高HfO2基铁电薄膜材料的极化强度。本发明公开的工艺方法具有低成本、高重复性、效果显著等优点。