[发明专利]一种硅通孔结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011327453.7 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466845B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅通孔结构及其制备方法，所述硅通孔结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构贯穿所述衬底结构上下两端；沟槽结构，所述沟槽结构设置在所述通孔结构内壁；金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述沟槽结构内壁；其中，所述金属互连结构上下两端分别设置有顶部金属接触层和底部金属接触层，所述顶部金属接触层和底部金属接触层均与所述金属互连结构电连接，本发明的硅通孔结构不仅能够实现芯片之间的上下互连，而且具有良好的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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