[发明专利]功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011328449.2 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112582463B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张邵华;郭广兴;杨彦涛 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件的部分屏蔽导体与源极电极连接，屏蔽导体在与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽内两侧的栅极导体之间的位置，栅极导体和屏蔽导体之间由隔离层隔开，屏蔽导体与源极电极连接；部分屏蔽导体不与源极电极连接，屏蔽导体在不与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽上部两侧的栅极导体下方区域，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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