[发明专利]具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011328645.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112448268A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 赵风春;王青;张杨;李军;尧舜;单杰;王光辉 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体科技有限公司;华芯半导体研究院（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/02253;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底；在所述GaAs衬底上依次生长的NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；设置在所述出光孔区域的所述P接触层上的P电极；设置在所述GaAs衬底靠近所述NDBR层的表面上的N电极；设置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上的SIN钝化层；设置在所述出光孔区域的所述SIN钝化层的表面上的透镜。本发明不仅可以有效降低VCSEL芯片的发散角，同时还可以有效保护出光腔面，从而保证VCSEL芯片具有良好的外观。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 透镜 结构 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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