[发明专利]三维NAND存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维NAND存储器及其制备方法，该方法通过设置支撑孔，该支撑孔包括互相垂直的第一支撑孔及第二支撑孔，且设置第一支撑孔沿第一方向的顶部长度大于第一支撑孔沿第二方向的顶部长度，第二支撑孔沿第二方向的顶部长度大于第二支撑孔沿第一方向的顶部长度，有效提高支撑孔的开孔面积，降低高深宽比深孔刻蚀的难度；同时将支撑孔设置为互相垂直的形式，可有效降低刻蚀过程中，非垂直的刻蚀离子在掩膜及孔壁上的撞击反射效果，缓解支撑孔的Bow尺寸，使其不会挤压后续工艺的工艺窗口；最后，相邻第二支撑孔之间可设置器件的功能导电孔区域，从而在不牺牲功能导电孔区域的前提下有效增大了支撑孔的开孔面积。