[发明专利]边发射半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011330151.5 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112350149A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 杨明来 | 申请（专利权）人： | 浙江长芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/02253;H01S5/18 |
| 代理公司： | 杭州润涞知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33358 | 代理人： | 黎慧华 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种边发射半导体激光器及其制备方法。边发射半导体激光器包括：光波导、高阶非球面快轴准直镜和高阶非球面慢轴准直镜；光波导具有N型衬底层，高阶非球面快轴准直镜和高阶非球面慢轴准直镜均形成在N型衬底层上。本发明通过半导体激光器平面工艺在激光器光波导前端分别制备出两个高阶非球面介质透镜，对单管器件的激光束快轴和慢轴发散角进行准直，实现高功率边发射半导体激光器的激光束准直输出，同时提高器件的集成度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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