[发明专利]一种全MOS管的基准参考电路有效
| 申请号： | 202011331994.7 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112379717B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周前能;刘磊;李红娟 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人： | 陈栋梁 |
| 地址： | 400065 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的基准参考电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 基准 参考 电路 | ||
【主权项】：
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