[发明专利]一种高可靠性氮化镓基功率器件及制备方法有效
| 申请号： | 202011332294.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112599586B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郝惠莲 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/3115;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 姜晓艳 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种高可靠性氮化镓基功率器件，自下而上包括衬底和氮化镓基层，在所述氮化镓基层的两端分别设置有源电极和漏电极，在其中部设置有栅电极，在所述栅电极和漏电极之间的区域自下而上还设置有阻隔层、钝化层，在所述栅电极和源电极之间的区域仅设置有钝化层，所述阻隔层用于减少氮化镓基层中电子陷阱的数量，并阻止栅电极的电子进入电子陷阱。还公开了一种高可靠性氮化镓基功率器件的制备方法。本发明的制备方法既能加快刻蚀过程，又能保证刻蚀完后凹槽表面的平整度，对凹槽法的产业化应用提供了更好的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 氮化 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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