[发明专利]一种气体传输管路升温方法、半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202011332301.6 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112593216B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈志敏;董曼飞;冯金瑞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了气体传输管路升温方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；对于每一个气体传输管路，在预设时间段之后控制气体传输管路对应的加热元件的输出功率为气体传输管路的用于同步升温的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 传输 管路 升温 方法 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
