[发明专利]一种带辅助绝缘衬底的功率半导体模块及制造方法在审
| 申请号： | 202011332479.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466819A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 罗皓泽;高洪艺;周宇;李武华;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L25/16;H01L23/538 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带辅助绝缘衬底的功率半导体模块，包括至少主绝缘衬底和辅助绝缘衬底两个绝缘衬底，所述主绝缘衬底从上到下依次包含第一金属层、第一陶瓷层和第二金属层，所述第一金属层承载功率半导体芯片和辅助绝缘衬底；辅助绝缘衬底从上到下依次包含第三金属层、第二陶瓷层和第四金属层，与所述功率半导体芯片的驱动电极通过连接装置连接，所述第三金属层承载驱动元件，所述第四金属层与所述第一金属层连接。通过将驱动元件集成在辅助绝缘衬底上，增大主绝缘衬底上功率回路铜层的面积，减小功率回路杂散电感和电阻，进而降低关断电压过冲和铜层发热，提高模块可靠性和功率输出能力，为并联芯片间瞬态电流均衡程度的提升提供更大的优化空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 绝缘 衬底 功率 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
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