[发明专利]基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法在审
| 申请号： | 202011332618.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112350679A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 高安明;姜伟;刘伟 | 申请（专利权）人： | 浙江信唐智芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/19;H01L41/08;H01L41/22 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法，包括：电极、氮化铝压电薄膜层(3)以及绝缘体上硅(SOI)；所述电极包括：顶电极(1)；所述氮化铝压电薄膜层(3)以及绝缘体上硅(SOI)设置于顶电极(1)的下方；所述绝缘体上硅包括：单晶硅顶层(4)、绝缘二氧化硅中间层(5)、硅衬底层；所述硅衬底层的厚度大于设定阈值；所述绝缘二氧化硅中间层(5)的厚度小于设定阈值；所述单晶硅顶层(4)的厚度大于绝缘二氧化硅中间层(5)；所述单晶硅顶层(4)的厚度小于硅衬底层；本专利所提出的硅上压电薄膜结构结合了上述两类谐振器的优点，从而方便设计出同时具有高Q值和低动生阻抗的谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压电 薄膜 结构 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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