[发明专利]可控硅结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011332865.X | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133743A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可控硅结构及其制造方法，包括台面沟槽以及位于台面沟槽底部的环绕保护层，环绕保护层的掺杂类型为与基区掺杂类型对应的N型掺杂或P型掺杂，且环绕保护层的掺杂浓度大于基区的掺杂浓度，由于台面型可控硅器件中的过宽的台面宽度影响了可控硅器件通流区的面积，通过在腐蚀去除的末端设置了环绕保护层，环绕保护层为高浓度的扩散层，该高浓度的扩散层能够压缩电场在低掺杂区的展宽，从而可以缩窄台面的宽度，从而提高晶圆有效面积的利用率，以达到降低器件制造成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江里阳半导体有限公司，未经浙江里阳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011332865.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
