[发明专利]一种异质结构薄膜衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202011334127.9 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112467024B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;欧欣;赵晓蒙 | 申请（专利权）人： | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/072 | 分类号： | H10N30/072;H10N30/01 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下：提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底，该第一压电衬底设于该第二压电衬底上；向该第一压电衬底进行离子注入，经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合，得到异质结构衬底；对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理，得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 薄膜 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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