[发明专利]一种氧化锌电桥紫外探测单元及其制备方法有效
申请号: | 202011335126.6 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112510108B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 彭文博;郭小川;齐文;潘子健;赵小龙;贺永宁 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/18;H01L27/144 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 安彦彦 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供的一种氧化锌电桥紫外探测单元及其制备方法,包括四个紫外光敏电阻,四个紫外光敏电阻呈电桥结构布置,所述四个紫外光敏电阻分别为第一紫外光敏电阻、第二紫外光敏电阻、第三紫外光敏电阻和第四紫外光敏电阻,其中,第二紫外光敏电阻、第三紫外光敏电阻和第四紫外光敏电阻上均设置有ZnO遮光层;本发明涉及的氧化锌电桥紫外探测单元具有体积小、成本低的特点,且具备更易与后端处理电路结合的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 电桥 紫外 探测 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的