[发明专利]一种超薄晶圆减薄以及背面金属蒸镀的工艺方法在审
| 申请号： | 202011336926.X | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112466807A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张明利 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄晶圆减薄以及背面金属蒸镀的工艺方法，包括环状保护、键合、薄化减厚、浸泡脱离、支撑保护和转移蒸镀。本发明利用外围外环支撑保护结合亚膜可以制作超薄晶圆的研磨蚀刻工艺，既能避免破片，亦能提高最边缘部份的良率；可以使得晶圆薄片可在不受应力的情况下脱胶并传送转移；使得薄晶圆在外加圆环的支撑保护下转移至金属膜环治具上，可以进行镀金属膜的工艺；环状支撑保护相对于周边厚度较厚的硅片或是玻璃载板的方法，成本较低且不会造成晶圆周边良率的损失。解决了现有技术中研磨后晶圆外围厚度较厚，将会损失最少3‑5％的良率，且最后必须切除外围才能进行切割工艺，增加生产成本，影响加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 晶圆减薄 以及 背面 金属 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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