[发明专利]一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法，属于柔性电子学半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层/原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的超低能耗柔性双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成；所述的底电极为导电的高分子薄膜材料；本发明制备的柔性忆阻器具有良好神经突触仿生功能、超低能耗和优异弯折性。