[发明专利]一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011338067.8 申请日: 2020-11-25
公开(公告)号: CN112408556B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 范晓莉 申请(专利权)人: 南京工程学院
主分类号: C02F1/461 分类号: C02F1/461;C02F1/72;C02F1/30
代理公司: 南京灿烂知识产权代理有限公司 32356 代理人: 吴亚
地址: 211167 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列,包括在导电玻璃表面垂直生长的单斜相三氧化钨纳米片阵列,以及负载于三氧化钨纳米片表面的分散型白钨矿型钒酸铋纳米颗粒。本发明还公开了一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列的制备方法,本发明先在导电玻璃表面生长垂直的单斜相三氧化钨纳米片阵列光电极,随后制备钒酸铋纳米颗粒胶体,将单斜相三氧化钨纳米片和钒酸铋纳米颗粒胶体经溶剂热制得钨铋基阵列光电极;本发明的钒酸铋纳米颗粒均匀分散于单斜相三氧化钨纳米片表面,能够有效地加速表面水氧化动力学,从而有效提升光电转化效率,在光电催化氧化领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 用于 氧化 分散 型内建 电场 钨铋基 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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