[发明专利]像素级CMOS兼容的掺氢非晶硅宽光谱图像传感器在审
| 申请号： | 202011341609.7 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112510056A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘舒扬;姜洪妍;王天鹤;王才喜 | 申请（专利权）人： | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 周恒 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光谱成像技术领域，具体涉及一种光谱成像微型传感器，该传感器是由像素级CMOS图像传感器和一体化集成在传感器上的fp腔滤波器构成。fp腔滤波器组合材料为兼容半导体工艺的掺氢非晶硅和二氧化硅，优选掺氢非晶硅参数，展宽650nm到1000nm的截止带宽，展宽光谱可调谐谱段范围，提高光谱分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 cmos 兼容 掺氢非晶硅宽 光谱 图像传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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