[发明专利]一种优化发光二极管的方法有效
| 申请号： | 202011343695.5 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112420971B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;翁兴焕;乔之勇 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K50/16;H10K50/115;H10K71/40 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种优化发光二极管的方法，属于发光二极管领域。发光二极管包括阳极、衬底、空穴传输层、量子点发光二极管、电子传输层以及阴极，其中，电子传输层为金属氧化物材料。在电子传输层中，利用具有活泼的氮元素或氧元素的有机分子在作为电子传输层的基体的金属氧化物材料表面形成氢键，并抑制羟基与羟基脱水缩合反应。其中，有机分子包括N,N‑二甲基苯胺、二苯甲酮或N‑乙烯基吡咯烷酮；其中，金属氧化物材料是纳米颗粒；有机分子和纳米颗粒状态的金属氧化物材料是以共混方式存在于电子传输层。上述方法能够优化发光二极管中的电子和空穴的复合平衡，从而改善其效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
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