[发明专利]一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法在审
| 申请号： | 202011344307.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420594A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 欧少敏;冯大贵;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善沟槽刻蚀产生侧掏的方法，提供硅基底，在硅基底上形成一硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层至露出硅基底上表面为止，形成硬掩膜图形；在硅基底上表面堆积聚合物，在硬掩膜图形的根部形成圆角结构；沿硬掩膜图形刻蚀所述硅基底，形成侧壁结构均一的沟槽。本发明通过在硅基底上的硬掩膜图形的根部堆积聚合物，使得刻蚀形成的沟槽侧壁结构均一，避免产生沟槽侧壁侧掏的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 刻蚀 产生 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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