[发明专利]一种晶圆级单晶铜箔的制备方法及规整石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 202011344894.8 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112522775B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李瑛;李莉;陈智;苏陈良;田冰冰 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C01B32/186;C01B32/188 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级单晶铜箔的制备方法及规整石墨烯的制备方法。所述晶圆级单晶铜箔的制备方法，包括：对多晶铜箔的边缘进行切口处理，得到具有切口的多晶铜箔；将所述具有切口的多晶铜箔在氢气气氛下进行退火处理，得到所述单晶铜箔。本发明所述晶圆级单晶铜箔的制备方法具有工艺简单、效率高、快速节能的特点，可以快速制备得到面积大、单晶度高、平整度高的单晶铜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级单晶 铜箔 制备 方法 规整 石墨 | ||
【主权项】：
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